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Transistor MOSFET FDS8958A

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Transistor MOSFET FDS8958A. Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 02/07/2025, 12:25.

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Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Remarque: ( = P23AF 4532 SMD ). Marquage sur le boîtier: F7319. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8
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Transistor MOSFET. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Type de canal: N-P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8
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