Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT12AF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.45fr | 3.73fr |
| 5 - 9 | 3.28fr | 3.55fr |
| 10 - 18 | 3.10fr | 3.35fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.45fr | 3.73fr |
| 5 - 9 | 3.28fr | 3.55fr |
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Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V - BUT12AF. Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 23W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 13:25.
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Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Résistance BE: 50. C (out): 156pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: oui
Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Résistance BE: 50. C (out): 156pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: oui
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