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Transistor SPA11N65C3

Transistor SPA11N65C3
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Transistor SPA11N65C3. Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: boîtier isolé (2500VAC, 1 min). Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N65C3. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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