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Transistor SPB80N04S2-H4

Transistor SPB80N04S2-H4
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Transistor SPB80N04S2-H4. Transistor. C (in): 4480pF. C (out): 1580pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 195 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Enhancement mode'. Id(imp): 320A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N04H4. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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