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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistors

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Quantité en stock : 36
2SD2061

2SD2061

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circui...
2SD2061
Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3A. Plage de température de fonctionnement min (°C): 30W. Plage de température de fonctionnement max (°C): montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V
2SD2061
Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3A. Plage de température de fonctionnement min (°C): 30W. Plage de température de fonctionnement max (°C): montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V
Lot de 1
1.25fr TTC
(1.16fr HT)
1.25fr
Quantité en stock : 30
2SD2089

2SD2089

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Couran...
2SD2089
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Courant de collecteur: 3.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: oui
2SD2089
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Courant de collecteur: 3.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: oui
Lot de 1
2.44fr TTC
(2.26fr HT)
2.44fr
Quantité en stock : 1
2SD2092

2SD2092

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: I...
2SD2092
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Io-sat. Courant de collecteur: 3A. Remarque: >500. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V
2SD2092
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Io-sat. Courant de collecteur: 3A. Remarque: >500. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V
Lot de 1
8.45fr TTC
(7.82fr HT)
8.45fr
Quantité en stock : 1
2SD2125

2SD2125

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant...
2SD2125
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V
2SD2125
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V
Lot de 1
3.17fr TTC
(2.93fr HT)
3.17fr
Quantité en stock : 1
2SD213

2SD213

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 1...
2SD213
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V
2SD213
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V
Lot de 1
5.20fr TTC
(4.81fr HT)
5.20fr
Quantité en stock : 14
2SD2222

2SD2222

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silic...
2SD2222
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V
2SD2222
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V
Lot de 1
8.26fr TTC
(7.64fr HT)
8.26fr
Quantité en stock : 13
2SD227

2SD227

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: T...
2SD227
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 0.3A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v
2SD227
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 0.3A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v
Lot de 1
0.96fr TTC
(0.89fr HT)
0.96fr
Quantité en stock : 22
2SD2331

2SD2331

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant...
2SD2331
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD2331
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Lot de 1
2.36fr TTC
(2.18fr HT)
2.36fr
Quantité en stock : 3
2SD2375

2SD2375

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50MHz. Fonction: Amp...
2SD2375
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50MHz. Fonction: Amplification de puissance avec courant direct élevé. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 2.37k Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non
2SD2375
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50MHz. Fonction: Amplification de puissance avec courant direct élevé. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 2.37k Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
3.88fr TTC
(3.59fr HT)
3.88fr
Quantité en stock : 65
2SD2390-SKN

2SD2390-SKN

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silic...
2SD2390-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( MT-100 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1560. Diode BE: non. Diode CE: non
2SD2390-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( MT-100 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1560. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
5.52fr TTC
(5.11fr HT)
5.52fr
En rupture de stock
2SD2391

2SD2391

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: S...
2SD2391
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: S Io-sat. Courant de collecteur: 2A. Remarque: sérigraphie/code CMS DT. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1561
2SD2391
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: S Io-sat. Courant de collecteur: 2A. Remarque: sérigraphie/code CMS DT. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1561
Lot de 1
0.77fr TTC
(0.71fr HT)
0.77fr
Quantité en stock : 456
2SD2394

2SD2394

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Gain hFE maxi...
2SD2394
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: D2394. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V
2SD2394
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: D2394. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V
Lot de 1
1.98fr TTC
(1.83fr HT)
1.98fr
Quantité en stock : 107
2SD2396

2SD2396

Transistor. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MH...
2SD2396
Transistor. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non
2SD2396
Transistor. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
2.14fr TTC
(1.98fr HT)
2.14fr
En rupture de stock
2SD2401-SKN

2SD2401-SKN

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silic...
2SD2401-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD2401-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Lot de 1
20.56fr TTC
(19.02fr HT)
20.56fr
Quantité en stock : 47
2SD2439

2SD2439

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silic...
2SD2439
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD2439
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Lot de 1
2.52fr TTC
(2.33fr HT)
2.52fr
En rupture de stock
2SD2494-SKN

2SD2494-SKN

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silic...
2SD2494-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 6A. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1625
2SD2494-SKN
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Courant de collecteur: 6A. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1625
Lot de 1
12.27fr TTC
(11.35fr HT)
12.27fr
En rupture de stock
2SD2499

2SD2499

Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conduc...
2SD2499
Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui
2SD2499
Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui
Lot de 1
3.16fr TTC
(2.92fr HT)
3.16fr
Quantité en stock : 55
2SD2499-PMC

2SD2499-PMC

Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conduc...
2SD2499-PMC
Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui
2SD2499-PMC
Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui
Lot de 1
2.92fr TTC
(2.70fr HT)
2.92fr
Quantité en stock : 52
2SD2553

2SD2553

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA Hi-r. C...
2SD2553
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA Hi-r. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Remarque: Vce(sat)=5V
2SD2553
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA Hi-r. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Remarque: Vce(sat)=5V
Lot de 1
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Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-éme...
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Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 3A. Puissance: 1.5W. Fréquence maxi: 50 MHz. Boîtier: MT-3-A1
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Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 3A. Puissance: 1.5W. Fréquence maxi: 50 MHz. Boîtier: MT-3-A1
Lot de 10
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Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silic...
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Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: TO-220. Gain hFE maxi: 12000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 6A. Marquage sur le boîtier: D2589. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1659
2SD2589
Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: TO-220. Gain hFE maxi: 12000. Gain hFE mini: 5000. Courant de collecteur: 6A. Marquage sur le boîtier: D2589. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1659
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8.29fr TTC
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Transistor. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. Quan...
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Transistor. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: 2A. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Boîtier: TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: 2A. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Boîtier: TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hF...
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 7A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 7A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
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2SD350-MAT

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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5...
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 22W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V
2SD350-MAT
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 22W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V
Lot de 1
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(3.31fr HT)
3.58fr
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Courant de c...
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V
Lot de 1
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