Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-1. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.7A. Remarque: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Courant de collecteur: 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD551. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: D667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB682

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB688. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.7A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Boîtier: TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 6A. Remarque: B=1000. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF/SL. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD871. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V