Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DK, hFE 120...200

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 180. Courant de collecteur: 5A. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: DK. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DK

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 3.5A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V

Transistor. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: transistor bipolaire. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: DAQ. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS DAQ

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 7A. Id(imp): 12A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1135. Dissipation de puissance maxi: 30W. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 12A. Id(imp): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1136. Dissipation de puissance maxi: 30W. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-E-L. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF/E (F). Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1186A

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor à boîtier isolé. Courant de collecteur: 2A. Remarque: >1000. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation à haute intensité. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1202. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1204

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: 'driver'. Gain hFE maxi: 5000. Gain hFE mini: 2000. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Amplificateur de sortie de déflexion horizontale TV couleur.. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1274

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE mini: 3000. Courant de collecteur: 4A. Remarque: =3000. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1342

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/650V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): 1500V. Plage de température de fonctionnement max (°C): 650V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Fonction: S-L TV/HA(F)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat DC/DC. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 2.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V

Transistor. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 3A. Marquage sur le boîtier: D2012. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1366. Diode BE: non. Diode CE: non