Transistors

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 300uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS II.5. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 5.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 400V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K1393. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 150 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 675pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 3.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1mA. Marquage sur le boîtier: K1461. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 2.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3BP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 21F1B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SK1489. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 27A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K1507. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Marquage sur le boîtier: K1529. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 180V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V

Transistor. C (in): 690pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: haute vitesse. Id(imp): 15A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 300uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 400pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Id (T=100°C): 1A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 1mA. Marquage sur le boîtier: K2043. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4pF. C (out): 4pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: Applications du syntoniseur FM. Id (T=25°C): 20mA. Idss (maxi): 12mA. Idss (min): 0.6mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.5V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 730pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 0.1mA. Marquage sur le boîtier: K2129. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Power F-MOS FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 200V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 6A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS-L. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Electronique automobile. Id(imp): 108A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2314. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140us. Td(on): 30us. Technologie: Transistor à effet de champ de puissance. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 6A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Tension Vds(max): 700V. Remarque: 70/160ns. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (out): 700pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2372. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. C (in): 3600pF. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 7.5A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 0.42 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Id (T=25°C): 3mA. Idss (maxi): 14mA. Idss (min): 6mA. Marquage sur le boîtier: K246BL. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension grille/source Vgs: -30V. Tension grille/source VGS (off) max.: 6V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: transistor complémentaire (paire) 2SJ103

Transistor. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de commutation haute tension. Id(imp): 12A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 63 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non