Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 4000. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Spec info: TO-126. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 0.02A. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Fonction: NF

Transistor. C (out): 50pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: amplificateur de sortie AF. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 340. Courant de collecteur: 5A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3P. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J119. Tension drain-source Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1050pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Nombre de connexions: 3. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS (F). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1040pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 800pF. C (out): 250pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 205 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance'. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 20V. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 23W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 120pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor complémentaire (paire) 2SK216. Id (T=25°C): 500mA. Idss (maxi): 500mA. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 15V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Id (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (maxi): 2.5mA. Idss (min): 2.5mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: amplification HF

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Protection G-S: non

Transistor. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Marquage sur le boîtier: K1120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Spec info: Convertisseur DC-DC et application d'entraînement de moteur. Poids: 4.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Tension Vds(max): 60V

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Protection G-S: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K1246. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation haute tension. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 240W. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: TO-3PN 13-16A1A. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 1400V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.5V. Protection drain-source: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Spec info: Compatible avec le niveau logique