Transistors

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 214W. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OptiMOS Power. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Température de fonctionnement: -55...+175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 1900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 4N03L02. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 136W. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3400pF. C (out): 880pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0607. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 215W. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2360pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0609. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 8000pF. C (out): 1700pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 034N06N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. Résistance passante Rds On: 2.8m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3 ( DPAK ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2400pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Id(imp): 350A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 050N03L. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 6.7 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1900pF. C (out): 760pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 27uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: PN03L06. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 136W. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 215W. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 6.9W. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): PG-SOT223. Température de fonctionnement: -40...+150°C

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 33A. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Puissance: 171W. Boîtier: TO-220AC. Diode intégrée: oui

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 106A. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Puissance: 446W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui

Transistor. C (in): 130pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 5. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): HexSense TO-220F-5. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 880pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Id(imp): 330A. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3210pF. C (out): 690pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 180W. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Utilisation: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Vgs 20V. Id (T=100°C): 71A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100A. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Ultra faible résistance passante. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V

Transistor. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF1310NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F1310NS. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 5790pF. C (out): 3440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 46 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Id (T=100°C): 249A. Id (T=25°C): 353A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 1.2M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 24V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7360pF. C (out): 1680pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 162A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF1404PBF. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 46 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5669pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 333W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F1404S. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7360pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C