Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): 35 ns. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60A4D. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): UFS Series IGBT. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HG20N60B3. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 220 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 165W. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: G20N60B3D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 165W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS Series IGBT. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: G30N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 300A. Ic(T=100°C): 63A. Marquage sur le boîtier: 40N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 145 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Marquage sur le boîtier: 5N120BND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 47. Gain hFE mini: 29. Courant de collecteur: 7A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 10V. Spec info: 'Epitaxial Planar Transistor'

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Courant de collecteur: 0.1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) HSB1109

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Courant de collecteur: 3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Spec info: boîtier NON isolé. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 G. Dissipation de puissance maxi: 285W. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 P. Dissipation de puissance maxi: 285W. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 P. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 S. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AB ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 850pF. C (out): 465pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 58 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 76121D. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HUF76145P3. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 110 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 135 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Courant de collecteur: 15A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 750 ns. Td(on): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Courant de collecteur: 20A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 650 ns. Td(on): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G03H1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 281 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Courant de collecteur maxi (A): 9.9A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C