Transistors

Transistor. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5480pF. C (out): 1210pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Id (T=100°C): 118A. Id (T=25°C): 169A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Marquage du fabricant: IRF1405PBF. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5480pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 330W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 169A. Puissance: 150W. Résistance passante Rds On: 0.0053 Ohms. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 55V

Transistor. C (in): 4780pF. C (out): 770pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 600A. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 0.0037 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5600pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.0078 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 330W. Résistance passante Rds On: 0.0078 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 75V

Transistor. C (in): 6450pF. C (out): 1690pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 1080A. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 1.8M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 700A. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 3.9M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Marquage du fabricant: IRF2807PBF. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 82A. Puissance: 200W. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 75V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F2807S. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 260A. Dissipation de puissance maxi: 290W. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v

Transistor. C (in): 6320pF. C (out): 1980pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 290W. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 970pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF2907Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 180A. Idss (maxi): 180A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Tension Vds(max): 75V

Transistor. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 390A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF3205PBF. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 390A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250nA. Idss (min): 25nA. Equivalences: IRF3205SPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3205S. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 3450pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 440A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 4.9m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 75A. Puissance: 170W. Résistance passante Rds On: 0.0049 Ohm. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 174 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 108A. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 136W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 43A. Puissance: 130W. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 150V

Transistor. C (in): 3230pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 23m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non