Transistors

Transistor. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF9530. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 760pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 14A. Puissance: 75W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): -100V

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 590pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 23A. Puissance: 125W. Résistance passante Rds On: 0.117 Ohms. Tension drain - source (Vds): -100V. Boîtier: TO-220AB <.45/32nsec

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9540. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 170pF. C (out): 50pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 7A. Id (T=100°C): 1A. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9610PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Boîtier (norme JEDEC): 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 100pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9620PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 2.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 700pF. C (out): 200pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 6.5A. Puissance: 75W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -200V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9630PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Puissance: 125W. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF9640PBF. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 11A. Puissance: 125W. Résistance passante Rds On: 0.5 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension drain - source (Vds): -200V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F9640S. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9952. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9952Q. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9953. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF9Z34NPBF. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Courant de drain maxi: 17A. Puissance: 56W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): -55V

Transistor. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F9Z34NS. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 1423pF. C (out): 208pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.52 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non