Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L540NS. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L5602S. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1460pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Dissipation de puissance maxi: 69W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 9A. Puissance: 74W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Commande: niveau logique. Tension drain - source (Vds): 200V

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-220. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L640S. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-220. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L640S. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 150A. Puissance: 140W. Résistance passante Rds On: 0.0038 Ohms. Boîtier: TO-220. Commande: niveau logique. Tension drain - source (Vds): 30V

Transistor. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 10315pF. C (out): 1980pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. Id (T=100°C): 243A. Id (T=25°C): 343A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. Résistance passante Rds On: 1.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Entraînement de moteur à courant continu, commutation de puissance à grande vitesse. Spec info: commande par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 720A. Id (T=100°C): 126A. Id (T=25°C): 179A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 270W. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SUPER-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLBA3803PPBF. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 1.7A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V

Transistor. C (in): 870pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Divers: Dynamic dv/dt Rating. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 740pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 2uA. Dissipation de puissance maxi: 39W. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 660pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Protection G-S: diode. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 93m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -40...+170°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL014N. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 230pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL024. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 510pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C