Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 12A, 600V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vce(sat) 3V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Remarque: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. Diode CE: oui

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Ic(puls): 10A. Marquage sur le boîtier: C5103. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Fonction: pilote de moteur, pilote de LED. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1952

Transistor NPN, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: MONITOR HA,Hi-res. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C5129. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: temps de descente 0.15..03us (64kHz). Diode CE: oui

Transistor NPN, 10A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: MONITOR. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Fonction: HA, Hi-res. Diode CE: oui

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F2A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 40A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Spec info: Monitor -HA

Transistor NPN, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Fonction: Horizontal Deflection Output, high speed Switch

Transistor NPN, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: fonctionnement rapide, pour déviation horizontale (TV). Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5149. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Spec info: 'Triple Diffused MESA Type'

Transistor NPN, 10A, 700V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 3V max. Remarque: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Spec info: TO-3P (Plastic). Diode CE: oui

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 50. Marquage sur le boîtier: C5171. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1930. Fonction: TV, SL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, 120V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1940

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. C (out): 170pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: C5198 O. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1941. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: C5200 (Q). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1943. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 230V, 15A, TO-264. Tension collecteur-émetteur VCEO: 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Fréquence maxi: 30MHz. Puissance: 150W

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 5. Marquage sur le boîtier: C5242. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1962. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 12. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion mesa type'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, 800V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Display-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR. Diode CE: oui

Transistor NPN, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Résistance BE: 43 Ohms. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Pour une déflexion horizontale haute résolution. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Spec info: Display-HA MONITOR. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 20A, 800V. Courant de collecteur: 20A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 120W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 8.729.033.99. Diode CE: oui

Transistor NPN, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 35A. Marquage sur le boîtier: C5302. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: vitesse rapide (tf=100ns typ)

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Diode CE: oui

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92S. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Ic(puls): 400mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA608. Diode CE: oui

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res