Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 8pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE mini: 25. Marquage sur le boîtier: s1D. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Fonction: amplificateur haute tension, version CMS du MPSA42. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) SMBTA92. Spec info: sérigraphie/code CMS S1D. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo-Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 9pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: S8050 C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 28pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 96. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 270 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.45W. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: 13005A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 16. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 13007A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Résistance BE: 50. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: ST13009L. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Fonction: hFE 15...28. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ST13009L. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN. C (out): 122pF. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N83003. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 1000. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN93003. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 215pF. Conditionnement: rouleau. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN basse tension à commutation rapide. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 1000. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HIGH SWITCH. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Fonction: commutation, amplificateur audio. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP107. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 4A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Remarque: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Transistor NPN, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 2pF. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Remarque: >1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP120. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP122. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: silicium. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (in): TO-220. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: +150°C. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unité de conditionnement: 50. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127G. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP132. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15000. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP137

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 60pF. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance Darlington. C (in): 100V. Nombre de connexions: 3. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147T. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 90W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP2955. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 24. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 5A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP32C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 25A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Date de production: 1450. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 125W. Fréquence maxi: 3MHz. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP36C