Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), 180V, TO3P-3L. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Boîtier (selon fiche technique): TO3P-3L. C (out): 250pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 50. Dissipation de puissance maxi: 130W. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi. Technologie: Transistor planaire épitaxial NPN. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1386A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 700mA, TO-92, SC-43B, TO92, 25V. Courant de collecteur: 700mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SC-43B, TO92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250MHz. Fonction: Hi-beta. Gain hFE maxi: 3200. Gain hFE mini: 800. Ic(puls): 1A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.14V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 15V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/800V. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Transistor NPN, 0.5A, 80V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Applications de commande basse fréquence. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN. Remarque: hFE 140...280. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1480

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/18V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, TO-220FP, TO-220F. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Fonction: S-L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/16V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.2A, 200V. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: Hi-def. Dissipation de puissance maxi: 15W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1476

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. C (in): 4pF. C (out): 10pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126LP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Résistance B: 22. Résistance BE: 22. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 260 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Fonction: hFE 800. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 75V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Résistance B: 47. Résistance BE: 10. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: TV-ZF-E. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): MF20 TO220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Gain hFE mini: 500. Dissipation de puissance maxi: 25W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: pilote pour solénoïde et moteur. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Marquage sur le boîtier: C3856. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1492

Transistor NPN, 5A, 800V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, 600V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR