Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 1.8pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: C2705. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Remarque: 9mm. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: DG. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-103, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-103. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 300mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Pour la mise en sourdine et la commutation. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Dissipation de puissance maxi: 400mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 130 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 70mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208

Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.14A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 150mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à courant élevé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C3074. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: pour applications de commutation. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8A/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8A/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/19V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D6/C, 150mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 150mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: TV-NF/E. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1249

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC3157. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1265

Transistor NPN, 0.02A, 40V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 550 MHz. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 660 MHz. Fonction: TV-ZF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1