Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Dissipation de puissance maxi: 900mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA966. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA968

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 350. Marquage sur le boîtier: C2240BL. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970BL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C224GR. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: VID-L. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 30pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Amplificateur de puissance AF à commutation haute tension. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1011. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 20pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: C2383 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1013. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BQ. Température: +155°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BQ. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1037. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, P22/U, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: P22/U. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: CSC2342. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hauteur 5mm

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: C2500. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 17A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D6/C, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 1A, 40V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Fonction: hFE 100...200. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 1.2A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). C (out): 19pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 155 MHz. Fonction: HF. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: C2690A Y. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1220A. Diode BE: non. Diode CE: non