Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3A

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-70. Boîtier (norme JEDEC): SOT-323. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: °C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3E

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3F. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: SMD KO0 3F

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3F. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

ROHS: Oui. Boîtier: SOT363. Fréquence: 100MHz. Puissance: 200mW. Montage/installation: SMD. Type de conditionnement: Tekercs. Type de transistor: PNP x2. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Conditionnement d'origine: 3000

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), TSSOP6, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSSOP6. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: 3Ft. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: double transistor PNP

RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-323. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 100MHz, 150MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: PNP. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Puissance: 0.25W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G/4C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 4C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 10pF. C (out): 4.5pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Remarque: transistor complémentaire (paire) BC850C. Marquage sur le boîtier: 4g. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 0.25W. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 4G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 20V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: CEC. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF/S. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP51/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP54-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP52/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP55-16. Diode BE: non. Diode CE: non