Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD140. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD140-10. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, TO-126, 80V, 1.5A, -80V, -1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Marquage du fabricant: BD140-16. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 12.5W. Fréquence maxi: 50MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139-16

Transistor PNP, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1.5A, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Applications audio, linéaires de puissance et de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD237. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD238G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, -80V, -2A, TO-126. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -2A. Boîtier: TO-126. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 25W. Fréquence maxi: 3MHz

Transistor PNP, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD239C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD241C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD242CG. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD244C. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C

Transistor PNP, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -100V. C (in): -6A. C (out): 65W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Diode CE: oui

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Diode CE: oui

Transistor PNP, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD250C. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD438. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, -45V, -4A, TO-126, 4A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD437

Transistor PNP, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126 FULLPACK. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD440. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD442. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD441

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: boîtier isolé. Diode BE: non. Diode CE: non