Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 10A, 45V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD678. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE mini: 750. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD677A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 14W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

Transistor PNP, TO-126, 100V, -100V, -4A. Boîtier: TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681. Type de transistor: PNP. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Gain hFE min.: 750. Courant maximum 1: -4A. Tension IGBT VRSM maxi: NF-L. Information: 40W. Série: BD682. MSL: +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD682G. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 4A, 120V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Remarque: >750. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD810G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-202. Boîtier (selon fiche technique): TO-202; SOT128B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 75 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 8W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD829. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 8A, 100V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: NF-L. Remarque: >750. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD901. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, 45V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Résistance B: Puissance. Résistance BE: TO220. C (in): 90W. C (out): -100V

Transistor PNP, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 5A, 45V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, SOT223, -60V. Boîtier: SOT223. Tension collecteur-émetteur VCEO: -60V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 3W. Tension base / collecteur VCBO: -60V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 25. Courant maximum 1: -3A. Tension IGBT VRSM maxi: 100 MHz. Information: 5W. Série: BDP. MSL: +150°C

Transistor PNP, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: oui. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 20A. Remarque: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDT65C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V

Transistor PNP, 15A, 100V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: 130.42144. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDV64BG. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1000. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 1000. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW47G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 85W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW83C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW84D. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C