Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 80m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 800pF. C (out): 74pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D. Protection G-S: non. Id(imp): 51A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 80m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 91pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 7.8 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V, 130A, 60.4k Ohms, 250uA. Résistance passante Rds On: 3.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 370W. RoHS: oui. Poids: 1.99g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 9620pF. C (out): 670pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Protection G-S: non. Id(imp): 670A. Idss (min): 20uA

Transistor canal N, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0093 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 5270pF. C (out): 490pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 86 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 420A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 380W. RoHS: oui. Poids: 1.99g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 19.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Protection G-S: non. Id(imp): 260A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 4530pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutateur PDP. Protection G-S: non. Id(imp): 330A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur audio de classe D 300W-500W (demi-pont). Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 3430pF. C (out): 530pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB42N20D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 97A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.072 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 4820pF. C (out): 340pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 390A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4410ZPBF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 7670pF. C (out): 540pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4310. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 53A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FB4710. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFB4710PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 51A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2770pF. C (out): 590pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseurs DC-DC haute fréquence, écran plasma. Protection G-S: non. Id(imp): 230A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB52N15D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1750pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: pour les applications d'amplification audio de classe D. Protection G-S: non. Id(imp): 140A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB5615PbF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 144W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 250A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 1.5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7330pF. C (out): 1095pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de variateurs de vitesse BLDC, circuits alimentés par batterie, convertisseurs DC/DC et AC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 1000A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 78 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V

Transistor canal N, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 172A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 4730pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de variateurs de vitesse BLDC, circuits alimentés par batterie, convertisseurs DC/DC et AC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 770A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 143W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 115 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V

Transistor canal N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 8.5A. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 650V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Dissipation de puissance maxi: 167W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 74W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 25A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 600V, 1.2 Ohms, TO-220. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 6.2A. Puissance: 125W

Transistor canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 900V. C (in): 490pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Id(imp): 6.8A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 54W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V