Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Boîtier: soudure sur c...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 60V, 70A. Boîtier: soudure sur circuit ...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 60V, 70A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 60V, 70A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25...
Transistor canal N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2800pF. C (out): 1100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFP150. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2800pF. C (out): 1100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFP150. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, 200V, TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO247. Plage de tem...
Transistor canal N, 200V, TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO247. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: transistor de puissance MOSFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 20A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: TO-247AC. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRFP240PBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Température de fonctionnement: 0.18 Ohms @ 12A. Type de montage: THT. Particularités: 45 ns. Information: 1300pF. MSL: 150W
Transistor canal N, 200V, TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO247. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: transistor de puissance MOSFET. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 20A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: TO-247AC. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRFP240PBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Température de fonctionnement: 0.18 Ohms @ 12A. Type de montage: THT. Particularités: 45 ns. Information: 1300pF. MSL: 150W
Transistor canal N, TO-247AC, 200V, 30A, 200V, 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Tension drain - source (Vds): 200V. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Marquage du fabricant: IRFP250NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2159pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 214W
Transistor canal N, TO-247AC, 200V, 30A, 200V, 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Tension drain - source (Vds): 200V. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Marquage du fabricant: IRFP250NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2159pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 214W
Transistor canal N, 200V, TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO247. Plage de tem...
Transistor canal N, 200V, TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO247. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: oui. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 33A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: montage traversant pour circuit imprimé. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRFP250PBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 180W. Température de fonctionnement: 0.085 Ohms @ 18A. Type de montage: THT. Particularités: 70 ns. Information: 2800pF. MSL: 190W
Transistor canal N, 200V, TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO247. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: oui. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 33A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: montage traversant pour circuit imprimé. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRFP250PBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 180W. Température de fonctionnement: 0.085 Ohms @ 18A. Type de montage: THT. Particularités: 70 ns. Information: 2800pF. MSL: 190W
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 250V, 23A. Boîtier: soudure sur circuit...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 250V, 23A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP254PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 74 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 250V, 23A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP254PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 74 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 200V, 50A, 280W. Boîtier: soudure sur cir...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 200V, 50A, 280W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Boîtier (norme JEDEC): 280W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP260NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4057pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 200V, 50A, 280W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Boîtier (norme JEDEC): 280W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP260NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4057pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 200V, 46A. Boîtier: soudure sur circuit...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 200V, 46A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP260PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 200V, 46A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP260PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C