Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1160pF. C (out): 134pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Trr Diode (Min.): 360ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: MDF9N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 6uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 62V. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Electronique automobile. Protection G-S: oui. Idss (min): 0.6uA. Marquage sur le boîtier: L2N06CL. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: MOSFET HYBRID. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MMBF170. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6K. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. C (in): 4.5pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: Uni sym. Protection G-S: non. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 61S. Marquage sur le boîtier: 61 S. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V

Transistor canal N, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Protection G-S: non. Idss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 62P. Marquage sur le boîtier: 62 P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.2mA. RoHS: oui. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 40V

Transistor canal N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. Protection G-S: non. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 6U. Marquage sur le boîtier: 6U. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor canal N, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 60mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. Protection G-S: non. Idss (min): 24mA. IGF: 10mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 6T. Marquage sur le boîtier: 6T. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 60mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6T. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6.95A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 890pF. C (out): 670pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 375 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: étages d'alimentation PFC, applications de commutation, commande de moteur, convertisseurs DC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Marquage sur le boîtier: 60R360P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, SOT-23, 50V. Boîtier: SOT-23. Vdss (tension drain à source): 50V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: oui. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Tension d'entraînement: TO-236AB. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: composant monté en surface (CMS). Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): JD. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Dissipation de puissance maxi: 0.22A. Température de fonctionnement: 150°C. Type de montage: SMD. Particularités: 16 ns. Information: 60pF. MSL: 0.36W

Transistor canal N, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 410pF. C (out): 114pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55.7 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 45A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Spec info: transistor à commande de porte par niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AE, 100V, 45A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AE. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTW45N10E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264, 100V, 100A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET

Transistor canal N, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 100A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect Power MOSFET

Transistor canal N, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2960pF. C (out): 1130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 1.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xV-MOS

Transistor canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 4.1m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): MP-25ZP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 6400pF. C (out): 465pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 900. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 328A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 82N055. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 142W. RoHS: oui. Spec info: transistor MOSFET. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: transistor MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 707pF. C (out): 224pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 20N6LG. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N06LG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.084 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Remarque: sérigraphie/code CMS 55094G. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.122 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 27A/10us. Id(imp): 27A. Remarque: sérigraphie/code CMS 3150G. Dissipation de puissance maxi: 29W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET