Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (maxi): 5mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 Ammo-Pak. Tension Vds(max): 35V. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: Up 4.5V. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Résistance passante Rds On: 100 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 35V. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Idss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 35V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: 60T65PES. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 535W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 1.4A, 1.4A, 30 v. Id (T=25°C): 1.4A. Idss (maxi): 1.4A. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: 0505-111646. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD 5p.. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS QU

Transistor canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1700pF. C (out): 184pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 272 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1160pF. C (out): 134pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 360ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: MDF9N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 6uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 62V. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Electronique automobile. Idss (min): 0.6uA. Marquage sur le boîtier: L2N06CL. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. Protection G-S: oui

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MMBF170. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6K. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. C (in): 4.5pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: Uni sym. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 61 S. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 61S. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: JFET. Idss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Marquage sur le boîtier: 62 P. Dissipation de puissance maxi: 0.2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 40V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 62P. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 30mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: FET. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 6U. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6U. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 60mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Type de transistor: FET. Fonction: VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer. Idss (min): 24mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 6T. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6T. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 60mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6T. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6.95A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 890pF. C (out): 670pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 375 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: étages d'alimentation PFC, applications de commutation, commande de moteur, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 33A. Marquage sur le boîtier: 60R360P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.22A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: JD. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 410pF. C (out): 114pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 55.7 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 45A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: transistor à commande de porte par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AE, 100V, 45A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AE. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTW45N10E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264, 100V, 100A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 100A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2960pF. C (out): 1130pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Quantité par boîtier: 1