Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Id (T=100°C): 5.5V. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. RoHS: oui. C (in): 7900pF. C (out): 790pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 830W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 600V, 64A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK64N60P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Boîtier: SOT-227B (ISOTOP). Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: GigaMOS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 48 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 41000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 940W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. Id (T=25°C): 105A. Idss (maxi): 2uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 9100pF. C (out): 2200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 480A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non

Transistor canal N, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 1.5mA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Tension Vds(max): 150V. C (in): 7000pF. C (out): 2250pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 380A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non

Transistor canal N, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 133A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 7600pF. C (out): 2900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non

Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation), 800V. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. Boîtier: PLUS247. Boîtier (selon fiche technique): PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation). Tension Vds(max): 800V. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 560W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 130 ns. Fonction: HiPerFAST IGBT with Diode. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2700pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 120ns. Fonction: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Diode CE: oui

Transistor canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1960pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 25 ns. Fonction: IGBT PT haute vitesse pour la commutation 40-100 kHz. Courant de collecteur: 56A. Ic(puls): 230A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92 ns. Td(on): 19 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Spec info: Surface arrière isolée électriquement. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3900pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35ns. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 300A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2113pF. C (out): 197pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: IGBT avec diode de récupération ultra-rapide. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 260A. Dissipation de puissance maxi: 268W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Remarque: isolation 2500V (50/60Hz RMS, t=1minute). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.092 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263AB ). Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 500V, 24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXTH24N50. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 1 kV, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXTH5N100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 24m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4800pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 92 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 4000pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 130A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 176W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2770pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 240A. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12A, 24A, 200uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V, 270 milliOhms. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 200uA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Résistance passante Rds On: 270 milliOhms. C (in): 2890pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 480W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 160pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Idss (min): 100mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 5 ns. Td(on): 6 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 0.7V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 30 Ohms, 35V. Résistance passante Rds On: 30 Ohms. Tension Vds(max): 35V. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: Up 10V. Idss (min): 20mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension grille/source VGS (off) max.: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1