Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35fr | 1.46fr |
5 - 9 | 1.28fr | 1.38fr |
10 - 24 | 1.21fr | 1.31fr |
25 - 49 | 1.15fr | 1.24fr |
50 - 99 | 1.12fr | 1.21fr |
100 - 249 | 1.09fr | 1.18fr |
250 - 796 | 1.23fr | 1.33fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.35fr | 1.46fr |
5 - 9 | 1.28fr | 1.38fr |
10 - 24 | 1.21fr | 1.31fr |
25 - 49 | 1.15fr | 1.24fr |
50 - 99 | 1.12fr | 1.21fr |
100 - 249 | 1.09fr | 1.18fr |
250 - 796 | 1.23fr | 1.33fr |
Transistor BUZ11. Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.
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