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Diode BYD33M

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Diode BYD33M. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.3A. IFSM: 20A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-81. Boîtier (selon fiche technique): SOD-81. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

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