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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IRF3205Z

Transistor IRF3205Z
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Transistor IRF3205Z. Transistor. C (in): 3450pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 440A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 4.9m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 2550pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 392A. Id (T=100°C): 68A. Id (T=25°C): 98A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 80NF70. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 68V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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