Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.82fr | 0.89fr |
5 - 9 | 0.78fr | 0.84fr |
10 - 24 | 0.74fr | 0.80fr |
25 - 49 | 0.70fr | 0.76fr |
50 - 99 | 0.68fr | 0.74fr |
100 - 172 | 0.63fr | 0.68fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.82fr | 0.89fr |
5 - 9 | 0.78fr | 0.84fr |
10 - 24 | 0.74fr | 0.80fr |
25 - 49 | 0.70fr | 0.76fr |
50 - 99 | 0.68fr | 0.74fr |
100 - 172 | 0.63fr | 0.68fr |
Transistor IRFR9024. Transistor. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 5.6A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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