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Transistor IRFZ34N

Transistor IRFZ34N
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Transistor IRFZ34N. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 29A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

Documentation technique

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