Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.50fr | 9.19fr |
2 - 2 | 8.07fr | 8.72fr |
3 - 4 | 7.65fr | 8.27fr |
5 - 9 | 7.22fr | 7.80fr |
10 - 19 | 7.05fr | 7.62fr |
20 - 29 | 6.88fr | 7.44fr |
30+ | 6.63fr | 7.17fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.50fr | 9.19fr |
2 - 2 | 8.07fr | 8.72fr |
3 - 4 | 7.65fr | 8.27fr |
5 - 9 | 7.22fr | 7.80fr |
10 - 19 | 7.05fr | 7.62fr |
20 - 29 | 6.88fr | 7.44fr |
30+ | 6.63fr | 7.17fr |
Transistor MJL21196. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21195. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.
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