Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27fr | 1.37fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 1.08fr | 1.17fr |
50 - 99 | 1.05fr | 1.14fr |
100 - 249 | 0.96fr | 1.04fr |
250 - 435 | 0.92fr | 0.99fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27fr | 1.37fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 1.08fr | 1.17fr |
50 - 99 | 1.05fr | 1.14fr |
100 - 249 | 0.96fr | 1.04fr |
250 - 435 | 0.92fr | 0.99fr |
Transistor P50N03LD. Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 150A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 50A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 15m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.
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