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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120

Transistor canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120
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Transistor canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120. Transistor canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 5.6A. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.6A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 12:25.

Documentation technique

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Transistor canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4.2A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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