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Transistor IRF634

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Transistor IRF634. Transistor. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.

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