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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.2A, 60V - 2SC943

Transistor NPN, 0.2A, 60V - 2SC943
Quantité HT TTC
1 - 4 2.42fr 2.62fr
5 - 9 2.30fr 2.49fr
10 - 24 2.23fr 2.41fr
25 - 49 2.18fr 2.36fr
50 - 99 2.13fr 2.30fr
100 - 249 2.06fr 2.23fr
250+ 1.98fr 2.14fr
Quantité U.P
1 - 4 2.42fr 2.62fr
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Transistor NPN, 0.2A, 60V - 2SC943. Transistor NPN, 0.2A, 60V. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 220 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur Nec. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V
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Lot de 1
0.18fr TTC
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Quantité en stock : 19
2SC815

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Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 232. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V
2SC815
Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 232. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V
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0.64fr TTC
(0.59fr HT)
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