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Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2527DX

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2527DX
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Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2527DX. Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA hi-re (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse. Gain hFE maxi: 11. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 36A. Marquage sur le boîtier: C5696. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Résistance BE: oui. Diode CE: oui
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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse. Gain hFE maxi: 11. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 36A. Marquage sur le boîtier: C5696. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Résistance BE: oui. Diode CE: oui
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