Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.56fr | 0.61fr |
2 - 2 | 0.53fr | 0.57fr |
3 - 4 | 0.50fr | 0.54fr |
5 - 9 | 0.48fr | 0.52fr |
10 - 24 | 0.45fr | 0.49fr |
25 - 49 | 0.42fr | 0.45fr |
50 - 173 | 0.39fr | 0.42fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.56fr | 0.61fr |
2 - 2 | 0.53fr | 0.57fr |
3 - 4 | 0.50fr | 0.54fr |
5 - 9 | 0.48fr | 0.52fr |
10 - 24 | 0.45fr | 0.49fr |
25 - 49 | 0.42fr | 0.45fr |
50 - 173 | 0.39fr | 0.42fr |
Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92, 50V - BC212B. Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 08:25.
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