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Transistor RFD3055LESM

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Transistor RFD3055LESM. Transistor. C (in): 850pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: diode. Id (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 12A. Marquage sur le boîtier: F3055L. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commande par niveau logique, protection ESD. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

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