Transistors

Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 170A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 6.2A. Ic(puls): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) PBSS4041PX. Marquage sur le boîtier: 6F. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 220 ns. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 35mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 320mV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS 6F. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 85pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 15A. Remarque: PBSS4041NX. Marquage sur le boîtier: 6g. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 75 ns. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89 (SC-62). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 60mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 300mV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS 6G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: *08. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS P08/T08

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de commutation NPN. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 130.41594. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 920pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 86W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Id(imp): 180A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 45A. Dissipation de puissance maxi: 86W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: TrenchMOS transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 25V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 8.7A. Dissipation de puissance maxi: 88W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS SOT78. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 500 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Spec info: sérigraphie/code CMS P1J, T1J. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 0.8A. Marquage sur le boîtier: p2X, t2X, W2X. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 29pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 600mA. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: *T2, P2T, T2T, W2T. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS P2T, T2T, W2T, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: PMV213SN. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.5 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (out): 19pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Courant de collecteur: 0.5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Spec info: hFE 80...450. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Courant de collecteur: 0.5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Spec info: hFE 240...600. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 75pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Courant de collecteur: 0.5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: hFE 80...450. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Courant de collecteur: 0.5A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: hFE 240...600. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 75pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 0.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Courant de collecteur: 0.8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92AMMO. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2907A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. C (in): 3195pF. C (out): 221pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation standard. Id(imp): 272A. Id (T=100°C): 47A. Id (T=25°C): 68A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.06uA. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 13.9m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK (SOT404). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4900pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 240A. Id (T=100°C): 60.8A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Protection G-S: non

Transistor. C (in): 4720pF. C (out): 456pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 118 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 0.05uA. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-363. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: B*1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: double transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-363. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: D*2. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 21.9A. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N65C3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non