Transistors

Transistor. C (in): 2930pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 2N03L04. Dissipation de puissance maxi: 188W. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F14N05. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 850pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: diode. Id (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 12A. Marquage sur le boîtier: F3055L. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commande par niveau logique, protection ESD

Transistor. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 125us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D8P05. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 20A. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 900pF. C (out): 325pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F12N10L. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: MegaFET. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Dissipation de puissance maxi: 53W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP3055LE. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP50N06. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 50

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP70N06. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2250pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Modèle PSPICE® à compensation de température

Transistor. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 330V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diode CE: oui

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Compatibilité: Samsung PS42C450B1WXXU. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 20A. Dissipation de puissance maxi: 178W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 40A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor MOSFET canal N. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

Transistor. C (in): 85pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 250A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 360V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1250pF. C (out): 40pF. Type de canal: P. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 200A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 630V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 25pF. C (out): 10pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Interface et commutation. Id(imp): 0.8A. Id (T=25°C): 115mA. Idss (maxi): 115mA. Marquage sur le boîtier: RKM. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (out): 100pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: DTR.. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS XJ

Transistor. C (in): 780pF. C (out): 180pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Id(imp): 14A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: TM. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 65m Ohms. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.6mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSMT6. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 6. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 3000. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 2.5A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N-Ch MOS FET. Boîtier (selon fiche technique): TSMT3. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS QY. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC

Transistor. C (in): 1830pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 1uA. Marquage sur le boîtier: TB. Nombre de connexions: 8. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC, onduleurs. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 0.0125 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 4V Drive N-ch MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-218. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: S2000N. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1.5 kV. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 50W. Diode intégrée: oui. Boîtier: TO-247-T