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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor Q67042-S4113

Transistor Q67042-S4113
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Transistor Q67042-S4113. Transistor. C (in): 2930pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 2N03L04. Dissipation de puissance maxi: 188W. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (...
IRLB8743PBF
Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
IRLB8743PBF
Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner....
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Transistor. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Fonction: commande de moteur, amplificateur audio. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non
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