Transistors

Transistor. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7304. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 610pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7306. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: 0.05R & 0.1R. Id (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7309. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF730PBF. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 38 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Boîtier (norme JEDEC): 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. Fonction: transistor MOSFET N. Equivalences: IRF7313PBF. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7313. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7313. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7314. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 780pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--30Ap

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7316. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 710pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 780pF. C (out): 430pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: 0.029R & 0.58R. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7317. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 57/63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 900/780pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: F7319. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Remarque: ( = P23AF 4532 SMD ). Remarque: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Transistor. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 6.4A. Id (T=25°C): 8A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de transistor: PNP & PNP. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2. Fonction: double transistor Mosfet à canal P. Résistance passante RDS ultra-faible

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Unité de conditionnement: 95. Fonction: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns

Transistor. Type de canal: P. Equivalences: IRF7342PBF. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--27Ap

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7342. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7342. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7343. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7343. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C