Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 1.87 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 950pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Température de fonctionnement: -...+150°. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO–220FM. Tension Vds(max): 60V. C (in): 740pF. C (out): 380pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 1.05 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2150pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Convertisseur DC-DC, relais et variateur de moteur. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 790pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( MTP3 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 160pF. C (out): 85pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: KE. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS KE. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 550pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1.3us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: transistor MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: MOSFET de commutation de puissance, utilisation industrielle. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 5400pF. C (out): 1900pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 190 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS-V. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: régulateur à découpage, convertisseur DC-DC, pilote de moteur. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F-3L. Tension Vds(max): 500V. C (in): 650pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 2us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. Idss (min): 0.1uA. Equivalences: FS5KM-10-AW. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 7A. Résistance passante Rds On: 1.62 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Quantité par boîtier: 1. Fonction: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

Transistor canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1200pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 0.75us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 40A. Idss (min): 25uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Remarque: Panasonic--B1CERR000022. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Id (T=25°C): 21A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (in): 2280pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 0.7us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 84A. Idss (min): 25uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 78 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.46 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 740pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 2.3 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 32A. Marquage sur le boîtier: K3561. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 6A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K3562. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 550pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K3563. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Protection G-S: oui

Transistor canal N, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 9A. Marquage sur le boîtier: K3564. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1150pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 15A. Marquage sur le boîtier: K3565. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 470pF. C (out): 50pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 720 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 7.5A. Marquage sur le boîtier: K3566. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (maxi): 3.5A. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 14A. Marquage sur le boîtier: K3567. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K3568. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67, 2-10U1B. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: K3569. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Poids: 1.7g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 50 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOSVI). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de transistor: MOSFET. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Protection G-S: oui

Transistor canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30A. Marquage sur le boîtier: K3667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1100pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 3.2us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3679. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.31 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 430pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 14.8A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3699. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 43W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non