Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 18M Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1160pF. C (out): 187pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 17.7 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Protection ESD. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0047 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6060pF. C (out): 638pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 33.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: résistance de grille ultra-faible. Protection G-S: non

Transistor canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.02mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Protection G-S: non

Transistor canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protection G-S: non

Transistor canal N, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 46m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 27.5us. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 2

Transistor canal N, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 13.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1040pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D408. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17.4 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD405. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 47m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 450pF. C (out): 61pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 27.6 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 4.2 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection G-S: non

Transistor canal N, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 951pF. C (out): 373pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Trr Diode (Min.): 10.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC en informatique. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: RDS(on) très faible à 10VGS. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 3.9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 400V. C (out): 16pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 172ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 52W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 273pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 178W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 2850pF. C (out): 258pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 170A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 1.9m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3430pF. C (out): 1327pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Latest Trench Power AlphaMOS technology'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03GS. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection G-S: non

Transistor canal N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.4A. Id (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maxi): 10.4A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: 4800C G M. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Protection G-S: non

Transistor canal N, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 312W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1170pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 150A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9962GH. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 27.8W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor canal N, DIP, DIP-8. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Type de canal: N. Fonction: MOS-N-FET. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

Transistor canal N, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9971GH. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 39W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220CFM. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: NO. Id(imp): 80A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 7A. Résistance passante Rds On: 0.050R (50m Ohms). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: 9971GM. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension grille/source Vgs: 20V. Fonction: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Transistor canal N, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension Vds(max): 20V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: td(on) 12ns. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'