Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SC-67 ). Tension Vds(max): 900V. C (in): 2200pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K3799. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 96pF. C (out): 29pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 2.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K3850. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 9 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=100°C): 5.3A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2200pF. C (out): 45pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1.4us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K3878. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Protection G-S: oui

Transistor canal N, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1350 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K3911. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 92A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2400pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 52A. Marquage sur le boîtier: K4012. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS VI). Protection G-S: oui

Transistor canal N, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10U1B ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 1400pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 18A. Marquage sur le boîtier: K4013 Q. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS IV). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (U-MOS III)

Transistor canal N, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 2900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de commutation à courant élevé. Id(imp): 180A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K4075. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 52W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 54 ns. Td(on): 18 ns. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: MOSFET DE PUISSANCE, transistor à effet de champ. Protection G-S: non

Transistor canal N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.21 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3400pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Idss (min): n/a. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (MOS VI). Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 5A, 5A, 800V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: V-MOS. Dissipation de puissance maxi: 100W

Transistor canal N, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 2.5 Ohms. Tension Vds(max): 850V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 150W

Transistor canal N, 5A, 5A, 800V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 100W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS. Remarque: (F)

Transistor canal N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 900pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à grande vitesse. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 0.6A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1.8A. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Fonction: commande de relais, commande de moteur

Transistor canal N, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 26A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: F-II Series POWER MOSFET

Transistor canal N, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-343, 12.5V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-343. Tension drain-source Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Transistor canal N, 0.035 Ohms, TO-247AC, 1200V. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 1200V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 52A. Puissance: 228W. Diode intégrée: oui

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Tension grille/source Vgs: 14V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08P20V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 22m Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 12V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 4.9A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 23.4m Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 621pF. C (out): 118pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non