Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 550pF. C (out): 62pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: G10N60A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 92W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 178 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. RoHS: oui. C (in): 1250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 52A. Marquage sur le boîtier: G15N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 198W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 580 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur, SMPS. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: oui. C (in): 1600pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Courant de collecteur: 41A. Ic(puls): 112A. Marquage sur le boîtier: G30N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P4. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 235pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 30 v, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L6. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4410BDY. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. Marquage sur le boîtier: 4420AP. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 12V. C (in): 12350pF. C (out): 2775pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 84 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 70A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 80V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532ADY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.13W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532CDY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.14W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4559EY. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 36/12ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0155 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4800B. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, MOSFET de puissance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 12.4A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0074 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. C (in): 2000pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.052 Ohms @ 4.7A. Marquage du fabricant: SI4946BEY-T1-E3

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4946EY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): TO-263AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9410BDY-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 4.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9936BDY. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0075 Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 985pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 14 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'High-Side Switch'. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 196k Ohms. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 29.8W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 90A, Autre, Autre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 5000pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Remarque: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 330A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 23.1pF. C (out): 1.9pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Courant de collecteur: 470A. Ic(puls): 600A. Dimensions: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 107pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Fonction: S-IGBT rapide en technologie NPT. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 80A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 179W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. Diode CE: oui