Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 10N10. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 426pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1460pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: 11N60S5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 11A. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Dissipation de puissance maxi: 156W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos

Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SPP17N80C2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V

Transistor canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 62.1A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. RoHS: oui. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 80A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N06L11. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 68 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 158W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 156W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: oui. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 650V, 20.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60C3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 600V, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 0.19 Ohms. Boîtier: PG-TO247 HV. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 208W

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1150pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 415 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 40V, 1mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P1. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 3850pF. C (out): 650pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de commutation, automobile. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 120N4F6. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 940pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50N. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 850pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 122 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50ND. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (avec diode rapide). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 540pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10NM60N. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Boîtier: DPAK. Montage/installation: SMD. Type de transistor: N-MOSFET. Polarité: unipolaire. Technologie: MDmesh™. Tension drain - source: 710V. Courant de drain: 12A. Résistance dans l'état passant: 279m Ohms. Tension grille-source: ±25V. Puissance: 90W

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 75. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V