Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commande de moteur, amplificateur audio. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. Id (T=100°C): 68A. Id (T=25°C): 98A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 68V. C (in): 2550pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 392A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 80NF70. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. Id (T=100°C): 4.3A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 700V. C (in): 2350pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 680 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1320pF. C (out): 143pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 24.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P8NK80ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh

Transistor canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Idss (min): 1us. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 600V, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P9NK60Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1100pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 28A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK60ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. Id (T=100°C): 0.189A. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 13 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammopak. Tension Vds(max): 600V. C (in): 94pF. C (out): 17.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 135 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protection Zener, capacité ESD améliorée. Protection G-S: oui. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 1NK60ZR. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 2xN-CH 60V. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: STripFET™ Power MOSFET

Transistor canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Protection G-S: oui. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK60Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 156W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Protection G-S: oui. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 800V, 9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W10NK80Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 3500pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 560 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: capacité dv/dt extrêmement élevée, applications de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 33.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK100Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 1 kV, 8.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W11NK100Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 98 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.82 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3000pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 584 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ZenerProtect. Protection G-S: oui. Id(imp): 36.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 10.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2620pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 635 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Protection G-S: oui. Id(imp): 42A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3500pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 964ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V, 600V, 0.55 Ohms. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 40A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 13A. Puissance: 150W

Transistor canal N, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 48A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W14NK50Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 900V, 0.55 Ohms, TO-247. Tension drain - source (Vds): 900V. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 15A. Puissance: 350W

Transistor canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 10.71A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: non. Id(imp): 68A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V