Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0095 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3700pF. C (out): 730pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 132 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P75NF75. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 66 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Zener-Protected. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 5.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P7NK80Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Résistance passante Rds On: 1.8 Ohms. Tension drain - source (Vds): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 5.2A. Nombre de connexions: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF06. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 80A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P80NF10. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 116 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 4300pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF12. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Fonction: commande de moteur, amplificateur audio. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non

Transistor canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. Id (T=100°C): 68A. Id (T=25°C): 98A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 68V. C (in): 2550pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 392A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 80NF70. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. Id (T=100°C): 4.3A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 700V. C (in): 2350pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 680 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1320pF. C (out): 143pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P8NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50Z. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Idss (min): 1us. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 600V, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P9NK60Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1100pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1110pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK60ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. Id (T=100°C): 0.189A. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 13 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammopak. Tension Vds(max): 600V. C (in): 94pF. C (out): 17.6pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 135 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 1NK60ZR. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: protection Zener, capacité ESD améliorée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N. Fonction: 2xN-CH 60V. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2

Transistor canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 156W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 800V, 9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W10NK80Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 3500pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 560 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: capacité dv/dt extrêmement élevée, applications de commutation. Id(imp): 33.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK100Z. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui