Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 860pF. C (out): 220pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 9A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 53 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: 2xP-CH 20V. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -20V, -5.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7204. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 860pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 870pF. C (out): 720pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 15A. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -12V, -6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7233. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 77 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -12V, -9.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7233. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 77 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -20V, -4.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7304. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 610pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -3.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7306. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -20V, -5.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7314. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 780pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--30Ap

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -3.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7316. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 710pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 8A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 6.4A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de transistor: PNP & PNP. Quantité par boîtier: 2. Fonction: double transistor Mosfet à canal P. Résistance passante RDS ultra-faible

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: P. Equivalences: IRF7342PBF. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--27Ap

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -55V, -3.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7342. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -55V, -3.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7342. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1700pF. C (out): 890pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. Id (T=100°C): 7.1A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 59 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7416. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.04V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 59 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7424. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.04V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4030pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 20V. C (in): 7980pF. C (out): 1480pF. Type de canal: P. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 12A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.082 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 230 ns. Td(on): 13 ns. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.45V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. Id (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 570pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 50M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: HEXFET. Protection G-S: non

Transistor canal P, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 150uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation pour ordinateurs portables. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 7.1A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 65 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. Boîtier (norme JEDEC): 1. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9510PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 390pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.8A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non